場效應(ying)管能被制造(zao)成兩種(zhong)極(ji)(ji)(ji)性。與N溝道MOSFET對(dui)稱的(de)(de)(de)同類是P溝道MOSFET，兩者(zhe)的(de)(de)(de)特(te)性對(dui)稱。通常(chang)漏極(ji)(ji)(ji)電位比源極(ji)(ji)(ji)電位低(di)，當(dang)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電位比源極(ji)(ji)(ji)電位低(di)1-2V時，漏極(ji)(ji)(ji)出現電流。但兩種(zhong)極(ji)(ji)(ji)性并非(fei)完全(quan)對(dui)稱，因(yin)為P溝道MOSFET的(de)(de)(de)載(zai)流子(zi)是空(kong)穴，與電子(zi)相比，它(ta)的(de)(de)(de)”活動性”差，且有“少數載(zai)流子(zi)生存(cun)時間(jian)”短的(de)(de)(de)缺陷，這些都是是影響半(ban)導體(ti)器件性能的(de)(de)(de)重要參數。值(zhi)得記住的(de)(de)(de)是：通常(chang)P溝道FET的(de)(de)(de)性能較差，它(ta)有較高(gao)的(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)門限(xian)電壓，較高(gao)的(de)(de)(de)RDSON以及較低(di)的(de)(de)(de)飽(bao)和電流。